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供应西门康IGBT模块SKM75GAR12T4
品牌：西门康型号：SKM75GAR12T4用途：A/宽频带放大导电沟道：N沟道导电方式：耗尽型封装外形：贴片材料：ALGaAS铝镓砷相数：三相控制方式：脉冲宽度调制（PWM）主电路形式：全桥式SKM145GAR063DSKM150GAR063DSKM200GAR063DSKM400GAR063DSKM200GAR066DSKM300GAR066DSKM400GAR066DSKM600GAR066DSKM50GAR12T4SKM50GAR12E4SKM7
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2019-07-11 |
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供应巴斯曼熔断器170M3991
品牌：Bussmann/博仕曼型号：170M3991类型：电流保险丝分断能力：高分断能力熔断速度：快速（F）适用范围：电子体积类型：中型形状类型：平头管状标准类型：国规额定电压类型：高压最大电压：1000V保持电流：400A触发电流：1A断开功率：1W外体材料：半导体加工定制：非加工定制170M5260170M5261170M5262170M5263170M5264170
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2019-06-19 |
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供应巴斯曼熔断器170M6508 170M6509
品牌：Bussmann/博仕曼型号：170M6508 170M6509类型：电流保险丝分断能力：高分断能力熔断速度：快速（F）适用范围：电子体积类型：中型形状类型：平头管状标准类型：美规额定电压类型：安全电压苏州沛易电子科技有限公司是一家从事电力半导体器件和电子元器件的专业代理及分销商，产品广泛应用到民用，工业，通信，等电子
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2019-06-18 |
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现货供应英飞凌IGBT模块SKM100GB12T4
品牌：英飞凌/INFINEON型号：SKM100GB12T4用途：CHOP/斩波、限幅导电沟道：P沟道导电方式：耗尽型封装外形：贴片材料：ALGaAS铝镓砷相数：三相控制方式：脉冲宽度调制（PWM）主电路形式：推挽式BSM35GD120DN2/DLC_E3224 BSM25GD120DN2/DLC_E3224 BSM15GD120DN2/DLC_E3224 6MBI35S-120 MG25Q6ES51 6MBI25S-120 6MBI15S-120 3
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2019-06-17 |
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供应巴斯曼熔断器170M3983
品牌：Bussmann/博仕曼型号：170M3983类型：电流保险丝分断能力：高分断能力熔断速度：快速（F）适用范围：电子体积类型：中型形状类型：平头管状标准类型：国规额定电压类型：高压最大电压：1000V保持电流：80A触发电流：1A断开功率：1W外体材料：半导体加工定制：非加工定制170M5260170M5261170M5262170M5263170M5264170M
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2019-06-16 |
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供应西门康IGBT模块SKM300GAR126D
品牌：西门康型号：SKM300GAR126D用途：A/宽频带放大导电沟道：N沟道导电方式：耗尽型封装外形：贴片材料：ALGaAS铝镓砷相数：三相控制方式：脉冲宽度调制（PWM）主电路形式：全桥式SKM145GAR063DSKM150GAR063DSKM200GAR063DSKM400GAR063DSKM200GAR066DSKM300GAR066DSKM400GAR066DSKM600GAR066DSKM50GAR12T4SKM50GAR12E4SKM
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2019-06-09 |
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供应巴斯曼熔断器170M4822
品牌：Bussmann/博仕曼型号：170M4822类型：电流保险丝分断能力：高分断能力熔断速度：快速（F）适用范围：电子体积类型：中型形状类型：平头管状标准类型：国规额定电压类型：高压最大电压：1000V保持电流：20A触发电流：1A断开功率：1W外体材料：半导体加工定制：非加工定制170M5260170M5261170M5262170M5263170M5264170M
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2019-06-05 |
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供应西门康IGBT模块SKM200GAR176D
品牌：西门康型号：SKM200GAR176D用途：A/宽频带放大导电沟道：N沟道导电方式：耗尽型封装外形：贴片材料：ALGaAS铝镓砷相数：三相控制方式：脉冲宽度调制（PWM）主电路形式：全桥式SKM145GAR063DSKM150GAR063DSKM200GAR063DSKM400GAR063DSKM200GAR066DSKM300GAR066DSKM400GAR066DSKM600GAR066DSKM50GAR12T4SKM50GAR12E4SKM
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2019-05-31 |
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